PLD MBE激光分子束外延鍍膜系統的主體是一個UHV激光分子束外延裝置。使用準分子激光進行基底加熱；脈沖激光做為幅照源。使用兩個組合的掩膜和一個掃描式的反射高能電子衍射（RHEED）設備，系統能同時制備很多樣品（250個/10mm²）。每個樣品都是原子級的控制，可以設置不同的生長條件。在UHV中使用激光輻照的組合的掩模和靶材。
　　這個組合膜沉積的概念，是由于使用分離的基底、小區域的掩模和每個樣品不同的生長參數導致的沉積條件的系統變化。最顯著的貢獻就是可以快速地篩選生長條件。